全球先進半導體解決方案的領導品牌三星電子股份有限公司，今天在臺北六福皇宮酒店舉辦的第六屆三星行動解決方案論壇中，正式宣布已開始量產512-Megabit (Mb)相位變化隨機存取記憶體晶片(PRAM, phase change random access memory)。 PRAM這種新型的非揮發性記憶體技術兼具了高效能及低耗電的特色，預期將可使行動裝置的記憶體技術進入新的階段。

高密度及高效能乃是智能手機較主要的技術要求，然而這兩種特性都會使耗電量大幅增加。而相位變化隨機存取記憶體晶片(PRAM)則大幅簡化了資料存取的邏輯，對DRAM的支持仰賴程度較低，因此其用電效率極高。在使用PRAM的情況下，手機電池的使用時間將可延長20%以上。

三星電子公司記憶體事業部行動記憶體企劃處副總裁Sei-Jin Kim表示：“我們相信PRAM可為手機效能的設計做出極大貢獻，尤其是多媒體手機以及智慧型手機。三星預期PRAM將成為公司未來的核心記憶體產品之一。”

這種512MbPRAM能在80毫秒內消除64KW(千字單位)，此速度比NOR快閃記憶體要快上十倍；而在大小為500萬位元組(MB)的資料段落中，PRAM消除及重寫資料的速度也要比NOR快閃記憶體快上七倍。

PRAM比目前正在研發當中的其他各種記憶體架構都更具規模彈性，一方面利用RAM極快的處理速度提供操作功能，同時又利用快閃記憶體的非揮發特性儲存資料。

三星這項第一款PRAM產品是運用60奈米級技術生產，而這也正是目前用以生產NOR快閃記憶體的技術。至于未來的新世代PRAM則將采用更先進的技術節點制造，以加速產品的商業化應用。