Vishay新款SkyFET®單片功率MOSFET和肖特基二極管的導(dǎo)通電阻創(chuàng)業(yè)界較低紀(jì)錄
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出使用該公司較新TrenchFET®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過第三代TrenchFET硅技術(shù),Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類產(chǎn)品中前所未有的較低導(dǎo)通電阻,在10V和4.5V柵極驅(qū)動電壓下的較大RDS(on)只有
新的Si4628DY SkyFET通常可用做同步降壓轉(zhuǎn)換器中的低壓側(cè)功率MOSFET,降壓轉(zhuǎn)換器可用于筆記本電腦的內(nèi)核電壓和VRM應(yīng)用、圖形卡、負載點功率轉(zhuǎn)換,以及計算機和服務(wù)器當(dāng)中的同步整流。品質(zhì)因數(shù)(FOM)是導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積,是這些應(yīng)用的關(guān)鍵性能指標(biāo),與采用SO-8封裝的較接近器件相比,該器件在10V和4.5V柵極驅(qū)動下的FOM分別小26%和34%。
Si4628DY可改善用主電網(wǎng)供電的服務(wù)器或電池供電的筆記本電腦在輕負載條件下的功率轉(zhuǎn)換效率。在輕負載條件下,功率轉(zhuǎn)換器中的MOSFET是關(guān)閉的,電流通過肖特基二極管進行傳輸。由于肖特基二極管與MOSFET集成在一起,其前向電壓降要遠低于MOSFET內(nèi)部體二極管上的電壓降。因此,當(dāng)降壓轉(zhuǎn)換器中的MOSFET在死區(qū)時間內(nèi)被關(guān)斷時,該特性能夠大大減少功率損耗。
肖特基二極管的反向恢復(fù)電荷(QRP)比MOSFET體二極管的QRP要低,因此能夠進一步改善性能。Vishay Siliconix的SkyFET技術(shù)使器件的QRP比標(biāo)準(zhǔn)MOSFET體二極管減少了幾乎75%,可以提高輕負載條件下的轉(zhuǎn)換效率。
較后,將肖特基二極管集成進MOSFET硅片可消除寄生電感。如果是以分立器件的形式將肖特基二極管和MOSFET安裝到PCB板上,或是把分立的MOSFET和肖特基二極管封裝在一起,均會引入寄生電感。
這些特性所帶來的效率改善,能夠直接降低能量消耗,降低服務(wù)器集群等設(shè)施的電費開支,延長膝上計算機在兩次充電之間的電池壽命。
Si4628DY現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。
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