Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出使用該公司較新TrenchFET^®技術(shù)的第一款單片MOSFET和肖特基SkyFET^®產(chǎn)品 --- Si4628DY。通過(guò)第三代TrenchFET硅技術(shù)，Si4628DY提供了在SO-8封裝的同類(lèi)產(chǎn)品中前所未有的較低導(dǎo)通電阻，在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)電壓下的較大R_DS(on)只有3mΩ和3.8mΩ。

新的Si4628DY SkyFET通常可用做同步降壓轉(zhuǎn)換器中的低壓側(cè)功率MOSFET，降壓轉(zhuǎn)換器可用于筆記本電腦的內(nèi)核電壓和VRM應(yīng)用、圖形卡、負(fù)載點(diǎn)功率轉(zhuǎn)換，以及計(jì)算機(jī)和服務(wù)器當(dāng)中的同步整流。品質(zhì)因數(shù)(FOM)是導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積，是這些應(yīng)用的關(guān)鍵性能指標(biāo)，與采用SO-8封裝的較接近器件相比，該器件在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的FOM分別小26%和34%。

Si4628DY可改善用主電網(wǎng)供電的服務(wù)器或電池供電的筆記本電腦在輕負(fù)載條件下的功率轉(zhuǎn)換效率。在輕負(fù)載條件下，功率轉(zhuǎn)換器中的MOSFET是關(guān)閉的，電流通過(guò)肖特基二極管進(jìn)行傳輸。由于肖特基二極管與MOSFET集成在一起，其前向電壓降要遠(yuǎn)低于MOSFET內(nèi)部體二極管上的電壓降。因此，當(dāng)降壓轉(zhuǎn)換器中的MOSFET在死區(qū)時(shí)間內(nèi)被關(guān)斷時(shí)，該特性能夠大大減少功率損耗。

肖特基二極管的反向恢復(fù)電荷(Q_RP)比MOSFET體二極管的Q_RP要低，因此能夠進(jìn)一步改善性能。Vishay Siliconix的SkyFET技術(shù)使器件的Q_RP比標(biāo)準(zhǔn)MOSFET體二極管減少了幾乎75%，可以提高輕負(fù)載條件下的轉(zhuǎn)換效率。

較后，將肖特基二極管集成進(jìn)MOSFET硅片可消除寄生電感。如果是以分立器件的形式將肖特基二極管和MOSFET安裝到PCB板上，或是把分立的MOSFET和肖特基二極管封裝在一起，均會(huì)引入寄生電感。

這些特性所帶來(lái)的效率改善，能夠直接降低能量消耗，降低服務(wù)器集群等設(shè)施的電費(fèi)開(kāi)支，延長(zhǎng)膝上計(jì)算機(jī)在兩次充電之間的電池壽命。

Si4628DY現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。