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Vishay Siliconix的新款第三代12V TrenchFET®功率MOSFET提供了業(yè)內(nèi)較佳的導(dǎo)通電阻性能

2009年07月29日08:20:39 本網(wǎng)站 我要評論(2)字號:T | T | T
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Vishay Intertechnology, Inc.NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出具有業(yè)內(nèi)較低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP,將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V,同時該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當(dāng)中較低的。

額定電壓12VSiR494DP10V4.5V柵極驅(qū)動下的較大導(dǎo)通電阻分別為1.2mΩ和1.7mΩ。導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積是評價用于DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)(FOM),該器件在4.5V電壓下的柵電荷只有85nC

與對低傳導(dǎo)損耗和低開關(guān)損耗進(jìn)行過優(yōu)化的較接近的競爭器件相比,這些指標(biāo)表明該器件在10V4.5V下的導(dǎo)通電阻分別減小了40%35%FOM降低了29%。更低的導(dǎo)通電阻和柵電荷意味著更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。

Vishay Siliconix SiR494DP可用于采用低輸入電壓(5V3.3V)同步降壓轉(zhuǎn)換器、低輸出電壓(5V3.3V和更低)OR-ing應(yīng)用,以及各種采用5V3.3V輸入電壓負(fù)載點(POL)轉(zhuǎn)換器的系統(tǒng)中的低壓側(cè)MOSFET,在這些應(yīng)用中,新器件的低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗將能夠更有效率地使用能源。

對于低輸出電壓的應(yīng)用,12V的柵源額定電壓恰好夠用,但迄今為止,設(shè)計工程師被迫選用20V的器件,尤其是設(shè)計者同時需要較低的導(dǎo)通電阻和20V的柵源電壓時。SiR494DP是具有這些特性的首款MOSFETVDS=12VVGS=±20V,在10V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻只有1.2mΩ。

新型功率MOSFET采用PowerPAK® SO-8封裝。這款無鉛、無鹵素的器件符合IEC 61249-2-21的要求,符合RoHS Directive 2002/96/EC規(guī)范,并100%通過了RgUIS測試。

第三代N溝道TrenchFET家族中其他器件的詳細(xì)信息可至http://www.vishay.com/mosfets/trenchfet-gen-iii/查詢。SiR494DP現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。

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