Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出具有業(yè)內(nèi)較低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET^®功率MOSFET的電壓降至12V，同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當(dāng)中較低的。

額定電壓12V的SiR494DP在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的較大導(dǎo)通電阻分別為1.2mΩ和1.7mΩ。導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積是評(píng)價(jià)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)(FOM)，該器件在4.5V電壓下的柵電荷只有85nC。

與對(duì)低傳導(dǎo)損耗和低開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行過(guò)優(yōu)化的較接近的競(jìng)爭(zhēng)器件相比，這些指標(biāo)表明該器件在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別減小了40%和35%，FOM降低了29%。更低的導(dǎo)通電阻和柵電荷意味著更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。

Vishay Siliconix SiR494DP可用于采用低輸入電壓(5V～3.3V)同步降壓轉(zhuǎn)換器、低輸出電壓(5V，3.3V和更低)OR-ing應(yīng)用，以及各種采用5V和3.3V輸入電壓負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器的系統(tǒng)中的低壓側(cè)MOSFET，在這些應(yīng)用中，新器件的低導(dǎo)通損耗和低開(kāi)關(guān)損耗將能夠更有效率地使用能源。

對(duì)于低輸出電壓的應(yīng)用，12V的柵源額定電壓恰好夠用，但迄今為止，設(shè)計(jì)工程師被迫選用20V的器件，尤其是設(shè)計(jì)者同時(shí)需要較低的導(dǎo)通電阻和20V的柵源電壓時(shí)。SiR494DP是具有這些特性的首款MOSFET：V_DS=12V，V_GS=±20V，在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的導(dǎo)通電阻只有1.2mΩ。

新型功率MOSFET采用PowerPAK^® SO-8封裝。這款無(wú)鉛、無(wú)鹵素的器件符合IEC 61249-2-21的要求，符合RoHS Directive 2002/96/EC規(guī)范，并100%通過(guò)了Rg和UIS測(cè)試。

第三代N溝道TrenchFET家族中其他器件的詳細(xì)信息可至http://www.vishay.com/mosfets/trenchfet-gen-iii/查詢。SiR494DP現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。