2009年DRAM產業景氣從谷底爬出，各家DRAM廠盛行縮衣節食，日前也傳出海力士(Hynix)大砍2009年的資本支出近一半，全年支出僅約16億美元，但分析師預估，將海力士的自有廠房與意法半導體在大陸合資的無錫廠一并計算，2009年的總資本支出也頂多10億美元，較目前規劃的金額減少6億美元，充分反應對存儲器市場看法的保守；此外，臺系DRAM廠只有南亞科和華亞科下半年轉進50納米，2009年資本支出規劃超過新臺幣100億元，力晶資本支出不到50億美元，茂德更無資本支出可言。

DRAM業者表示，以2009年初的存儲器產業氣氛和價格來看，公司的資本支出預算非常難規畫，因為所有的新制程都停擺，除了三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)之外，大部分的DRAM廠都認清事實，無法在2009年導入50納米制程，而新12寸廠的興建計畫，以及既有廠房的擴充計畫也都喊停，當時只求活命而不想資本支出問題。

隨著存儲器產業景氣好轉，DRAM業者的資本支出規畫逐漸上路，但金額一直刪減，除了必須的花費之外，其它開銷一律喊卡，存儲器業者認為，下半年DRAM價格不會再破底，但要馬上反彈上來，機率也不高，因此所有新制程和產能都暫緩，視價格走向而調整。

日前傳出海力士大砍資本支出近一半，2009年資本支出約16億美元；然日前有分析師針對海力士自有廠房加計與意法合資成立的無錫廠估計，認為較后總資本支出不會超過10億美元，對照2008海力士2008年加計無錫廠，資本支出接近20億美元，2007年資本支出接近40億美元，反應存儲器產業景氣逐年艱鉅的情況。

以美光(Micron)和爾必達(Elpida)而言，2009年資本支出也是大幅縮減，美光加計與英特爾合資的IM Flash廠房，2009年資本支出約6億~8億美元，而爾必達2009年的資本支出也約4億~5億美元水平，更是所有國際級的存儲器大廠中，較節省的一員。

在臺系DRAM業者方面，較大手筆繼續投資的成員，當屬臺塑集團旗下的南亞科技和華亞科，估計2009年分別的資本支出都各100億元以上，主要是用于2009年將現有的12寸廠產能從70納米溝槽式制程轉換至50納米堆疊式制程，因此花費相當驚人，日前臺塑集團也以實際行動金援南亞科和華亞科，繼續擴張DRAM版圖。

在力晶方面，2009年規劃的資本支出不到50億元，市場預估實際花費的金額，會遠低于此數字。力晶今年并無新產能開出，2008年底的制程技術也大多轉進至65納米技術，因此需要投資的部分不多，惟力晶近期獲得金士頓和力成的金援，計畫將回頭增產DRAM，將之前減產的部分，逐步補回來，但此部分的花費有限。