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飛兆半導(dǎo)體雙MOSFET器件為同步降壓應(yīng)用提供高效率和更高功率密度

2009年07月10日09:54:31 本網(wǎng)站 我要評論(2)字號:T | T | T
關(guān)鍵字:應(yīng)用 半導(dǎo)體 

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200,可為筆記本電腦上網(wǎng)本服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30V N溝道MOSFET,二者均使用的專用先進(jìn)高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù),提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD),這些性能較大限度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,帶來更高效率。FDMC8200高側(cè)RDS(ON) 通常為24mOhm,低側(cè)則為9.5mOhm,可提供9A以上電流供主流計算應(yīng)用,而經(jīng)優(yōu)化的引腳輸出和占位面積,為布局和路由帶來便利,并簡化設(shè)計。

FDMC8200通過先進(jìn)的封裝技術(shù)和專有PowerTrench 7工藝,節(jié)省空間并提升熱性能,解決DC-DC應(yīng)用的主要設(shè)計難題。采用緊湊型高熱效3mm x 3mm Power33 MLP封裝和PowerTrench 7技術(shù),其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。

這款雙MOSFET器件是飛兆半導(dǎo)體廣泛的先進(jìn)MOSFET技術(shù)產(chǎn)品系列的一部分,全系列均擁有廣闊的擊穿電壓范圍和現(xiàn)代化的封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)高效的功率管理和低熱阻的特點(diǎn)。同系列其它產(chǎn)品包括集成了FET模塊的FDMS9600SFDMS9620S器件,同樣能夠顯著減少電路板空間,并提升同步降壓設(shè)計以達(dá)到更高的轉(zhuǎn)換效率。

單價(訂購1000)0.50美元

供貨現(xiàn)提供樣品

交貨期現(xiàn)已可付運(yùn)

要了解飛兆半導(dǎo)體MOSFET產(chǎn)品系列的信息,請訪問網(wǎng)頁:

http://www.fairchildsemi.com/products/mosfets/index.html

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