——英飛凌高性能功率晶體管深圳CPSS全球首發(fā)

6月19日至21日，2009年第十五屆中國(guó)國(guó)際電源展覽會(huì)暨第十三屆中國(guó)變頻器及電子變壓器展覽會(huì)在深圳會(huì)展中心舉行。英飛凌全面參展并在此次展會(huì)上全球首發(fā)其較新的高性能功率晶體管CoolMOS C6。此外，英飛凌還將同時(shí)推出了第三代SiC二極管和全面完善OptiMOS 3家族的75V、120V和150V產(chǎn)品。

英飛凌在展會(huì)期間舉行了媒體見(jiàn)面會(huì)。英飛凌科技奧地利有限公司全球開關(guān)電源高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理Thomas Schmidt先生重點(diǎn)介紹了這些較新發(fā)布的產(chǎn)品和相關(guān)解決方案，并就大家關(guān)心的業(yè)界技術(shù)熱點(diǎn)和市場(chǎng)趨勢(shì)等與媒體進(jìn)行了交流。

適用于高能效電源轉(zhuǎn)換的OptiMOS™ MOSFET

Thomas Schmidt先生介紹新推出的OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列時(shí)表示，這個(gè)產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和品質(zhì)因素特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開關(guān)模式電源（SMPS）、電機(jī)控制和快速開關(guān)D類功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。

該MOSFET系列是交流/直流開關(guān)模式電源（譬如面向全球市場(chǎng)的臺(tái)式機(jī)和計(jì)算機(jī)服務(wù)器裝備的電源）的同步整流的理想選擇。電腦產(chǎn)業(yè)拯救氣候行動(dòng)計(jì)劃發(fā)起的80PLUS® Gold金牌認(rèn)證規(guī)定的新能效目標(biāo)，要求在美國(guó)能源之星計(jì)劃當(dāng)前的要求基礎(chǔ)上再使計(jì)算機(jī)的能效提高約10％。英飛凌此次新推出的OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET可以幫助滿足這些規(guī)范，采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，相對(duì)于同類器件而言，導(dǎo)通電阻和品質(zhì)因素分別降低40%和34%，結(jié)果可使SMPS的同步整流級(jí)的功率損耗降低高達(dá)10%。

他指出：“為客戶提供多種改進(jìn)能效的解決方案，多年來(lái)一直是英飛凌的核心戰(zhàn)略之一。如今我們已成為全球公認(rèn)的功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)先供應(yīng)商。歸功于技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位、經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的產(chǎn)品質(zhì)量、穩(wěn)定的供貨和客戶大力支持等因素，我們一直是主要OEM和ODM客戶的較佳供應(yīng)商，對(duì)此我們頗感自豪。”

全新推出的OptiMOS™ 3 75V系列，進(jìn)一步壯大了英飛凌功率MOSFET產(chǎn)品的陣容。目前，采用英飛凌N溝道OptiMOS™ 3工藝制造的器件型號(hào)已接近100個(gè)，每款都具備業(yè)界較低的導(dǎo)通電阻、極低的柵極電荷，降低產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和整體功耗。例如，OptiMOS™ 3 80V系列已成為電源同步整流的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。全新MOSFET系列相對(duì)于80V系列而言，功率損耗降低10%，確保客戶達(dá)到更加嚴(yán)格的能效要求。

導(dǎo)通電阻較低溫度系數(shù)［<0.7%/°K］等特性，確保在溫度升高時(shí)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通損耗。更低的功率損耗消除了多器件并聯(lián)需求，并允許采用較小的散熱器，從而降低了系統(tǒng)成本。

英飛凌OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET還有助于客戶設(shè)計(jì)出更加緊湊的電源。例如，采用SuperSO8封裝的器件可用于代替同等功率密度的D²PAK器件。這可使占板空間、垂直高度和封裝寬度分別降低60%、77%（從4.44毫米降至1毫米）和50%左右（從10.1毫米降至5.15毫米）。

兼具超結(jié)技術(shù)和傳統(tǒng)高壓器件優(yōu)勢(shì)的CoolMOS™ MOSFET

新推出的下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列，有助于PFC（功率因數(shù)校正）級(jí)或PWM（脈寬調(diào)制）級(jí)等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源效率的大幅提升。全新C6技術(shù)融合了現(xiàn)代超結(jié)結(jié)構(gòu)及包括超低單位面積導(dǎo)通電阻（例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐）在內(nèi)的補(bǔ)償器件的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)具有更低的電容開關(guān)損耗、更簡(jiǎn)單的開關(guān)特性控制特性和更結(jié)實(shí)耐用的增強(qiáng)型體二極管。

C6系列是英飛凌推出的第五代CoolMOS™金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。CoolMOS™ C3是一個(gè)應(yīng)用非常廣泛的產(chǎn)品系列，而CP系列可滿足需要較高開關(guān)速度和較低導(dǎo)通電阻的各種專門應(yīng)用的需求。

較新推出的600V CoolMOS™ C6器件，融合了CoolMOS™ C3和CoolMOS™ CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢(shì)。例如，電源廠商可受益于超結(jié)CP系列的優(yōu)勢(shì)——包括極低電容損耗和極低單位面積導(dǎo)通電阻等，設(shè)計(jì)出更高效、更緊湊、更輕更涼的電源產(chǎn)品。與此同時(shí)，開關(guān)控制性能和抗電路板寄生電感和電容特性性能也得到大幅提升。相對(duì)于CP系列的設(shè)計(jì)而言，CoolMOS™ C6簡(jiǎn)化了PCB系統(tǒng)布局。具體而言，這意味著在CoolMOS™ C6系列內(nèi)，柵極電荷、電壓/電流斜率和內(nèi)部柵極電阻達(dá)到了優(yōu)化和諧狀態(tài)，即使低至零歐姆的柵極電阻，也不會(huì)產(chǎn)生過(guò)高的電壓或電流斜率。此外，C6器件具備出色的體二極管硬換流抗受能力，因此可避免使用昂貴的快速體二極管組件。

CoolMOS™ C6器件可降低設(shè)計(jì)難度，非常適用于各種高能效應(yīng)用，例如面向個(gè)人電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本或手機(jī)、照明（高壓氣體放電燈）產(chǎn)品以及電視機(jī)（液晶或等離子電視機(jī)）和游戲機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源或適配器。英飛凌的新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，能夠讓客戶開發(fā)出符合當(dāng)今能效要求和政府法規(guī)的高度可靠的終端產(chǎn)品。