——英飛凌高性能功率晶體管深圳CPSS全球首發(fā)

6月19日至21日，2009年第十五屆中國國際電源展覽會暨第十三屆中國變頻器及電子變壓器展覽會在深圳會展中心舉行。英飛凌全面參展并在此次展會上全球首發(fā)其較新的高性能功率晶體管CoolMOS C6。此外，英飛凌還將同時推出了第三代SiC二極管和全面完善OptiMOS 3家族的75V、120V和150V產(chǎn)品。

英飛凌在展會期間舉行了媒體見面會。英飛凌科技奧地利有限公司全球開關(guān)電源高級市場經(jīng)理Thomas Schmidt先生重點(diǎn)介紹了這些較新發(fā)布的產(chǎn)品和相關(guān)解決方案，并就大家關(guān)心的業(yè)界技術(shù)熱點(diǎn)和市場趨勢等與媒體進(jìn)行了交流。

適用于高能效電源轉(zhuǎn)換的OptiMOS™ MOSFET

Thomas Schmidt先生介紹新推出的OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列時表示，這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和品質(zhì)因素特性，可在任何負(fù)載條件下，降低開關(guān)模式電源（SMPS）、電機(jī)控制和快速開關(guān)D類功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。

該MOSFET系列是交流/直流開關(guān)模式電源（譬如面向全球市場的臺式機(jī)和計(jì)算機(jī)服務(wù)器裝備的電源）的同步整流的理想選擇。電腦產(chǎn)業(yè)拯救氣候行動計(jì)劃發(fā)起的80PLUS® Gold金牌認(rèn)證規(guī)定的新能效目標(biāo)，要求在美國能源之星計(jì)劃當(dāng)前的要求基礎(chǔ)上再使計(jì)算機(jī)的能效提高約10％。英飛凌此次新推出的OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET可以幫助滿足這些規(guī)范，采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，相對于同類器件而言，導(dǎo)通電阻和品質(zhì)因素分別降低40%和34%，結(jié)果可使SMPS的同步整流級的功率損耗降低高達(dá)10%。

他指出：“為客戶提供多種改進(jìn)能效的解決方案，多年來一直是英飛凌的核心戰(zhàn)略之一。如今我們已成為全球公認(rèn)的功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)先供應(yīng)商。歸功于技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位、經(jīng)過驗(yàn)證的產(chǎn)品質(zhì)量、穩(wěn)定的供貨和客戶大力支持等因素，我們一直是主要OEM和ODM客戶的較佳供應(yīng)商，對此我們頗感自豪。”

全新推出的OptiMOS™ 3 75V系列，進(jìn)一步壯大了英飛凌功率MOSFET產(chǎn)品的陣容。目前，采用英飛凌N溝道OptiMOS™ 3工藝制造的器件型號已接近100個，每款都具備業(yè)界較低的導(dǎo)通電阻、極低的柵極電荷，降低產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和整體功耗。例如，OptiMOS™ 3 80V系列已成為電源同步整流的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。全新MOSFET系列相對于80V系列而言，功率損耗降低10%，確保客戶達(dá)到更加嚴(yán)格的能效要求。

導(dǎo)通電阻較低溫度系數(shù)［<0.7%/°K］等特性，確保在溫度升高時，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通損耗。更低的功率損耗消除了多器件并聯(lián)需求，并允許采用較小的散熱器，從而降低了系統(tǒng)成本。

英飛凌OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET還有助于客戶設(shè)計(jì)出更加緊湊的電源。例如，采用SuperSO8封裝的器件可用于代替同等功率密度的D²PAK器件。這可使占板空間、垂直高度和封裝寬度分別降低60%、77%（從4.44毫米降至1毫米）和50%左右（從10.1毫米降至5.15毫米）。

兼具超結(jié)技術(shù)和傳統(tǒng)高壓器件優(yōu)勢的CoolMOS™ MOSFET

新推出的下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列，有助于PFC（功率因數(shù)校正）級或PWM（脈寬調(diào)制）級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源效率的大幅提升。全新C6技術(shù)融合了現(xiàn)代超結(jié)結(jié)構(gòu)及包括超低單位面積導(dǎo)通電阻（例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐）在內(nèi)的補(bǔ)償器件的優(yōu)勢，同時具有更低的電容開關(guān)損耗、更簡單的開關(guān)特性控制特性和更結(jié)實(shí)耐用的增強(qiáng)型體二極管。

C6系列是英飛凌推出的第五代CoolMOS™金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。CoolMOS™ C3是一個應(yīng)用非常廣泛的產(chǎn)品系列，而CP系列可滿足需要較高開關(guān)速度和較低導(dǎo)通電阻的各種專門應(yīng)用的需求。

較新推出的600V CoolMOS™ C6器件，融合了CoolMOS™ C3和CoolMOS™ CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢。例如，電源廠商可受益于超結(jié)CP系列的優(yōu)勢——包括極低電容損耗和極低單位面積導(dǎo)通電阻等，設(shè)計(jì)出更高效、更緊湊、更輕更涼的電源產(chǎn)品。與此同時，開關(guān)控制性能和抗電路板寄生電感和電容特性性能也得到大幅提升。相對于CP系列的設(shè)計(jì)而言，CoolMOS™ C6簡化了PCB系統(tǒng)布局。具體而言，這意味著在CoolMOS™ C6系列內(nèi)，柵極電荷、電壓/電流斜率和內(nèi)部柵極電阻達(dá)到了優(yōu)化和諧狀態(tài)，即使低至零歐姆的柵極電阻，也不會產(chǎn)生過高的電壓或電流斜率。此外，C6器件具備出色的體二極管硬換流抗受能力，因此可避免使用昂貴的快速體二極管組件。

CoolMOS™ C6器件可降低設(shè)計(jì)難度，非常適用于各種高能效應(yīng)用，例如面向個人電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本或手機(jī)、照明（高壓氣體放電燈）產(chǎn)品以及電視機(jī)（液晶或等離子電視機(jī)）和游戲機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源或適配器。英飛凌的新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，能夠讓客戶開發(fā)出符合當(dāng)今能效要求和政府法規(guī)的高度可靠的終端產(chǎn)品。