意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布超低功耗的8位和32位微控制器技術(shù)平臺(tái)
微控制器的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼:STM),發(fā)布用于制造8位和32位微控制器的全新超低功耗技術(shù)平臺(tái)的細(xì)節(jié)。新的技術(shù)平臺(tái)將有助于新一代電子產(chǎn)品降低功耗,滿足不斷升級(jí)的能效標(biāo)準(zhǔn)的要求,延長(zhǎng)電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備的工作時(shí)間。滿足這些日益提高的標(biāo)準(zhǔn)需要全方位考慮微控制器的設(shè)計(jì)和制程技術(shù),進(jìn)行全面的較大限度的改進(jìn)。
新平臺(tái)采用130nm制程,意法半導(dǎo)體對(duì)這個(gè)平臺(tái)進(jìn)行了深度優(yōu)化,邏輯功能采用超低漏電流晶體管,模擬功能采用低壓晶體管,同時(shí)選用創(chuàng)新的低功耗嵌入式存儲(chǔ)器、新的低壓低功耗標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)和創(chuàng)新的電源管理架構(gòu)。這些改進(jìn)技術(shù)合在一起可大幅降低動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗,讓未來的微控制器比目前市場(chǎng)上低功耗產(chǎn)品的性能功率比更大幅進(jìn)步。
意法半導(dǎo)體將在2009年推出首批基于這個(gè)超低功耗平臺(tái)的全新微控制器系列STM
在這個(gè)新的技術(shù)平臺(tái)內(nèi),優(yōu)化的130nm數(shù)字晶體管的漏電流很小,可降低微控制器在正常工作模式以及節(jié)能模式下的電流消耗。此外,創(chuàng)新的低功耗嵌入式非易失性存儲(chǔ)器可降低應(yīng)用數(shù)據(jù)處理所需的功耗。改進(jìn)的模擬晶體管的工作電壓降至1.65V,使片上模擬電路能夠在低壓電源下工作。通過采用低工作電壓內(nèi)核和4µs超高速低功耗狀態(tài)喚醒等方法,電源管理架構(gòu)可在全部模式下節(jié)省電能。較后,專用數(shù)字庫(kù)和低功耗系統(tǒng)芯片(SoC)的新設(shè)計(jì)流程將有助于意法半導(dǎo)體擴(kuò)大超低功耗微控制器的產(chǎn)品范圍,為市場(chǎng)快速推出新器件。
“基于這個(gè)平臺(tái)的全新微控制器STM
其它更多的產(chǎn)品也將受益于新的8位和32位微控制器,包括報(bào)警系統(tǒng)、無線傳感器、觸感模塊和便攜設(shè)備,如個(gè)人保健設(shè)備、手持游戲機(jī)、遙控器、GPS設(shè)備、個(gè)人運(yùn)動(dòng)設(shè)備和手機(jī)配件。
STM8S和STM
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