半導體產業世界領先廠商之一、CMOS影像技術的世界領袖意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）與世界領先的工程基板供應商Soitec（歐洲證券交易所代碼：SOI），宣布兩家公司簽訂一項排他性合作協議。根據此協議，兩家公司將合作開發300毫米晶圓級背光（BSI）技術，制造用于消費電子產品中的下一代影像傳感器。

當今的前沿影像傳感器技術的分辨率正在持續提高，同時也不斷要求縮減相機模塊的整體尺寸，特別是消費電子市場要求更為迫切。這意味著影像產業需要開發個別像素粒子更小、同時還能保持像素靈敏度和高畫質的影像技術。在下一代影像傳感器開發過程中，背光（BSI）技術是應對這一挑戰的關鍵技術。

兩家公司的合作協議包括Soitec授權意法半導體在300毫米晶圓上使用Smart Stacking™鍵合技術制造背光傳感器。這項技術是由Soitec集團中的Tracit事業部開發的，利用分子鍵合技術和機械以及化學薄化技術。意法半導體將開發新一代影像傳感器，利用先進的65納米以及65納米以下的衍生CMOS制程工藝技術，在法國南部Crolles的300毫米晶圓制造廠生產。結合意法半導體先進的晶圓制造能力，Smart Stacking技術將有助于意法半導體加強在高性能移動消費電子影像傳感器開發與供應的領先地位。

“對于尖端影像傳感器開發來說，背光技術是小像素、高畫質競賽的一個要素，”意法半導體事業群副總裁兼影像產品部總經理Eric Aussedat表示，“通過與Soitec合作，意法半導體可以在相機產品中快速部署Smart Stacking技術。這項協議將加快具成本競爭力的先進影像傳感器制程工藝的發展進化，進一步鞏固格勒諾布爾（Grenoble）地區作為全球CMOS先進影像傳感器技術領導中心的地位。”

“意法半導體選擇我們的Smart Stacking技術來發展背光產品，我們感到非常高興，”Soitec集團公司董事長兼總裁André-Jacques Auberton-Hervé表示，“我們的Tracit事業部開發的這項技術，支持快速部署與工程基板和3D集成相關的先進制程工藝，我們非常高興能夠支持意法半導體以客戶利益為重的創新承諾。”