英特爾發明新材料 處理器功耗可望降90%
近日,英特爾對外透露該公司旗下實驗室的全新研究結果,該項成果可使處理器減低所需功耗,未來的處理器耗電量甚至可以是當今處理器的十分之一,而性能與體積不僅不會停止不前,還會大幅度的前進。而這項研究的對象則被英特爾稱之為“PChannel與N-Channel半導體組合協作”課題。
P Channel 與N-Channel半導體組合協作技術的晶圓樣品
在英特爾較新的研究報告中透露了有關P-Channel Transistor 的資料,這是一種復合半導體,也稱為III-V物料,因為它就是硅晶體周期表的列于第四周期表中,據研究指出它擁有極高的效率及極低電阻的物理特征。而英特爾早前透露的采用III-V物料的N-ChannelTranistsor,同樣將會使用在處理器制程技術上。
據英特爾指出,當P-ChannelTransistor及N-ChannelTransistor復合應用后,所制造出的CMOS邏輯芯片比傳統物料可減低一半的電壓,而且功耗更可降低至口金只有十分之一。此研發創新技術將會應用于未來一段時間內的處理器量產工作。而該項技術帶來的好處則是顯而易見的:首先,該技術可將處理器效率進一步提高;其次,容許更復雜的處理器內核設計及減低了因功耗而出現的散熱問題;較后,采用該類處理器的筆記本機身體積還可進一步縮少。
當前,英特爾已開始進行試驗上述半導體材料大量生產的可能性,希望可以在未來一至兩年內將該項技術應用于實際生產中。
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