盡管IC市場低迷，但硅代工市場正在回暖，IBM近日宣布其技術聯盟將共同開發28納米、采用high-k金屬閘（HKMG）及CMOS影像感測技術的制程技術，預計在2010年下半年進入早期試產。

    IBM技術聯盟的成員包括三星、AMD獨立的晶圓代工廠GlobalFoundries，以及特許半導體（Chartered Semiconductor Manufacturing、Infineon與意法半導體（STMicroelectronics）等，先前該聯盟便曾共同開發32納米制程技術。

    IBM說明，低耗電的28納米技術平臺擁有功率性能與上市時機的優勢，適用于各種具節能需求的移動及消費電子裝置，包含快速成長的行動網絡裝置市場，而HKMG的特性則讓新一代的行動產品得有較佳化的電池壽命。

    該聯盟已于2008年12月發布28納米省電技術評估套件給早期使用客戶，并于2009年3月開放存取，預計在明年下半年進入早期試產。

    IBM表示，透過先前與客戶合作32納米省電技術的經驗，該聯盟已擁有HKMG技術的寶貴經驗，而且可提供自32納米轉移到28納米技術的途徑，因此客戶可以開始設計他們的32納米HKMG技術，而且不需要大規模的重新設計就能轉移到28納米。

    在與早期使用客戶的測試中IBM發現，28納米技術平臺除了芯片大小只有比45納米技術的一半外，亦提升了40%的效能并降低20%的電力損耗。

    ST-Ericsson技術長Jorgen Lantto認為，從32納米HKMG技術到28納米是一個很重要的進步，手機產業可利用28納米的省電技術迎合市場對效能及電池壽命的需求。

    在全球芯片技術市場上，英特爾計劃在今年下半年推出首款32納米芯片，并預計于2011年轉移到22納米制程。