3D等同于兩代器件等比緊縮

2009年04月15日10:26:04 本網站我要評論(2)字號：T | T | T

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北卡羅萊納州立大學（North Carolina State University）教授Paul Franzon表示，從傳統的CMOS等比縮放獲得性能提升看起來已經過時了，迫切需要3D互連來填補產業空隙。

“3D IC提供了兩代的等比縮放，”Franzon在德州奧斯汀（Austin, Texas）舉行的IEEE器件封裝和制造技術（CPMT）會議上這樣表示。他引用了MIT微系統技術實驗室的一份研究，研究表明，從CMOS 32nm世代往前，晶體管的固有性能將不能再得到提升，除非能夠極大地降低寄生電容。

IBM系統和技術集團的技術策略經理Mike Shapiro說，IBM正致力于開發一種非常可靠的TSV（穿透硅通孔）工藝。IBM經理表示，TSV的成品率必須與片上互連的成品率相當，才能使其獲得經濟效益。

Shapiro說，計劃于紐約州北部IBM贊助的納米和封裝技術中心（IBM-backed Nanoscale & Packaging Technology Center）將在3D開發中扮演重要角色。盡管2009年面臨低迷的經濟環境，但IBM業已同意投資15億美元，紐約州再投入5
000萬美元。Shapiro表示，該研發中心的一個關鍵項目是開發用于下一代產品的3D技術，使得未來的產品能從3D中獲利。

Cadence數字IC技術專家Vassilios Gerousis說，Cadence正與領先的商業化客戶進行3D軟件的開發。Cadence已經開發了一套3D基本工具和設計方法，另外，Cadence和領先的3D客戶在2008年成功流片（taped out）了兩個45nm工藝的3D堆疊芯片。