功率半導(dǎo)體業(yè)全球領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所： STM）推出全新系列的30V表面貼裝功率晶體管，導(dǎo)通電阻僅為2毫歐（較大值），新產(chǎn)品可提高計算機、電信設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的能效。

采用意法半導(dǎo)體較新的 STripFET™ VI DeepGATE™制造工藝，單元密度提高，以有效芯片尺寸對比，新產(chǎn)品實現(xiàn)業(yè)內(nèi)較佳的導(dǎo)通電阻R_DS(ON)，比上一代產(chǎn)品改進大約20個百分點，開關(guān)穩(wěn)壓器和直流--直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)因此可以使用小尺寸的貼裝功率封裝。這項技術(shù)還得益于本身既有的低柵電荷量特性，這項優(yōu)點讓設(shè)計人員可以使用高開關(guān)頻率，在產(chǎn)品設(shè)計中選用尺寸更小的無源器件，如電感和電容。

意法半導(dǎo)體新30V表面貼裝功率晶體管產(chǎn)品提供各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT™、3.3 x 3.3mm PowerFLAT™、PolarPAK®、通孔IPAK和SOT23-6L，兼容現(xiàn)有的焊盤/引腳布局，同時還能提高能效和功率密度。這一特性使意法半導(dǎo)體的STripFET VI DeepGATE產(chǎn)品系列可以創(chuàng)造出較大的市場機遇。

首批采用新工藝的產(chǎn)品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6兩款產(chǎn)品。STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封裝，單位面積導(dǎo)通電阻 R_DS(ON)* 達到市場較低水平；STD150N3LLH6采用DPAK封裝，導(dǎo)通電阻 R_DS(ON)為2.4毫歐。

兩款產(chǎn)品的樣片都已上市，計劃2009年6月開始量產(chǎn)。

關(guān)于意法半導(dǎo)體（ST）

意法半導(dǎo)體是微電子應(yīng)用領(lǐng)域中開發(fā)供應(yīng)半導(dǎo)體解決方案的世界級主導(dǎo)廠商。硅片與系統(tǒng)技術(shù)的完美結(jié)合，雄厚的制造實力，廣泛的知識產(chǎn)權(quán)組合（IP），以及強大的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使意法半導(dǎo)體在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術(shù)方面居較前沿地位。在今天實現(xiàn)技術(shù)一體化的發(fā)展趨勢中，意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品扮演重要的角色。2008年，公司凈收入98.4億美元，公司股票分別在紐約股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米蘭股票交易所上市。詳情請訪問意法半導(dǎo)體公司網(wǎng)站 www.st.com 或意法半導(dǎo)體中文網(wǎng)站 www.stmicroelectronics.com.cn