中國(guó)，2017年5月26日——意法半導(dǎo)體推出了采用先進(jìn)的PowerFLAT^TM 5x6雙面散熱(DSC)封裝的MOSFET晶體管，新產(chǎn)品可提高汽車系統(tǒng)電控單元(ECU)的功率密度，已被為全球所有的汽車廠商提供先進(jìn)技術(shù)的汽車零配件大廠電裝株式會(huì)社選用。

STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶體管，可用于汽車電機(jī)控制、電池極性接反保護(hù)和高性能功率開(kāi)關(guān)。厚度0.8mm的PowerFLAT^TM 5x6 DSC封裝保留了標(biāo)準(zhǔn)封裝的尺寸和高散熱效率的底部設(shè)計(jì)，同時(shí)將頂部的源極曝露在外面，以進(jìn)一步提升散熱效率，這樣設(shè)計(jì)讓內(nèi)部芯片有更高的額定輸出電流，提高功率密度，讓設(shè)計(jì)人員能夠研發(fā)更小的電控單元，而無(wú)需在功能、性能和可靠性之間做出取舍。

新產(chǎn)品STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG的較大漏極電流120A，較大導(dǎo)通電阻分別為1.5 mΩ和3.0 mΩ，保證高能效，簡(jiǎn)化系統(tǒng)熱管理。此外，總柵電荷分別為172nC和91nC，器件本身電容很低，有助于在高速開(kāi)關(guān)時(shí)提高能效。

這兩款40V MOSFET器件是意法半導(dǎo)體一個(gè)新產(chǎn)品家族的首批產(chǎn)品，采用意法半導(dǎo)體的STripFET™ F6技術(shù)和槽柵結(jié)構(gòu)，額定電流和電壓范圍寬廣，適用于汽車產(chǎn)品。新MOSFET可以用于極其惡劣的工作環(huán)境，包括較高175°C的發(fā)動(dòng)機(jī)艙。這些產(chǎn)品100%經(jīng)過(guò)雪崩額定值測(cè)試，其封裝的可潤(rùn)濕側(cè)翼引線可實(shí)現(xiàn)較佳焊接效果，100%支持自動(dòng)光學(xué)檢查。

STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，即日上市。此外，該產(chǎn)品家族今年還將推出STripFET F7產(chǎn)品。

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