容U.DMA 6的工業用CompactFlash存儲卡和高可靠性RA8系列固態硬盤

2009年03月05日14:00:59 本網站我要評論(2)字號：T | T | T

通過內置TDK GBDriver RA8 NAND控制器制造出高速、長壽命、高可靠性的
CFG8A CompactFlash存儲卡和SDG8A系列HD兼容閃存盤

　　TDK公司2008年11月17日宣布，將于2008年12月開始銷售兼容U.DMA 6的CFG8A系列工業用CompactFlash（CF）存儲卡和兼容并行ATA（PATA）模式的SDG8A系列固態硬盤（SSD），較大容量高達16 Gbyte。

　　這些產品將TDK獨創的NAND閃存控制器（兼容GBDriver RA8 U.DMA 6）與高速、高頻寫入單層單元（SLC）NAND閃存相結合，從而打造出業內較先進的NAND閃存卡，在高速性能、耐用性及高可靠性方面邁上了新臺階。

　　此外，在高速訪問方面，讀訪問速度高達50 MB/秒，寫訪問速度高達30 MB/秒；這些產品提供了強大的ECC糾錯功能（可達15 bit/扇區），具有較高的數據可靠性。由于大大降低了反復讀取數據可能出現誤碼和寫入數據掉電造成數據丟失的風險，這些高可靠性的CF存儲卡和SSD將成為工業和嵌入式應用的較佳選擇。

　　這些產品還采用了TDK研發的先進靜態損耗均衡功能，可使數據均勻地寫入閃存的所有存儲區，極大地提高了CompactFlash存儲卡和SSD的寫壽命。此外還對SMART（自動監測分析報告技術）進行了改進，可獲取TDK所特有的關于各存儲塊擦寫次數的SMART數據，因而能夠進行系統量化評估并有助于操作和管理。

基本規格

系列		TDK CF (CompactFlash)存儲卡RA8系列	TDK PATA SSD (GBDisk)RA8系列
型號		CFG8A系列	SDG8A系列
容量		128MB/256MB/512MB/1GB/ 2GB/4GB/8GB/16GB	1GB/2GB/4GB/8GB/16GB
外形		CompactFlash I型	2.5英寸
板載存儲器		SLC（單層單元）NAND 閃存
板載控制器		TDK GBDriver RA8
接口		Ultra ATA 133
數據傳輸模式		Ultra DMA模式0-6	Ultra DMA模式0-6
		多字節DMA模式0-4
		PIO模式0-6
傳輸速率	讀（較大值）	50MB/秒
	寫（較大值）	30MB/秒
糾錯功能		8bit/扇區糾錯（15bit/扇區糾錯）
重寫壽命		有效塊數×100,000次，與固定區的存在與否無關（例如，16GB SSD為62億次）
抗震性		15 G（工作時）
抗沖擊性		1500 G（待機時）
MTBF（平均無故障時間）		500,000小時
工作溫度范圍		0 – 70˚C（-40 - 85˚C 行業標準）
貯存溫度范圍		-25 ‐ 85˚C
貯存/工作濕度		0% - 90% RH（無冷凝）
供電電壓		3.3 V ±5%/5.0 V ±10%		5 V ±10%
證書		CE, FCC
環境規范		符合RoHS指令
產地		臺灣

主要用途

主要用于多功能打印機（MFP）、數控機床設備、程控裝置與PLC、工廠自動化觸摸工控機、觸屏顯示系統、嵌入式CPU板、銷售點（POS）終端、金融業務終端、ATM機及自助服務機終端、火車站設備、通信與廣播設備、安全與火災檢測設備、數字標牌、安全識別系統、成像與其他醫療設備、醫用PC、藥物熔點（POM）系統、行車記錄儀、汽車數據記錄器（如數字轉速表）、分析與測量儀器，以及其他各種工業設備、醫學設備、汽車與嵌入式設備及社會基礎設施系統。

主要特性

1. 采用獨創的TDK GBDriver RA8 NAND閃存控制器IC

內存控制器IC采用TDK研發的GBDriver RA8系列，確保了CompactFlash和SSD的性能和數據可靠性。通過采用較新的NAND規范和改進控制器設計，TDK提高了NAND閃存盤的性能并確保各閃存版本兼容。這意味著同一個產品系列可滿足業界和嵌入式應用的閃存需求，也可作為理想的升級換代成品。

2. 搭載SLC 閃存

通過采用高速、耐用的SLC NAND，TDK打造出專為工業用途和嵌入式應用優化的CompactFlash存儲卡和閃存盤，適用于高速數據寫訪問和高頻數據寫入。還可根據客戶需要提供采用多層單元（MLC）閃存的CF存儲卡和閃盤。

3. 高速訪問

兼容PIO模式0–6、多字節DMA模式0–4及Ultra DMA模式0–6。這些高速NAND存儲設備支持高達50 MB/秒的讀訪問速度和高達30 MB/秒的寫訪問速度。

4. 對所有塊進行靜態損耗均衡
TDK創造了一種全新的靜態損耗均衡算法，可計算出所有內存塊中各內存塊的擦寫次數。此外定期對固定塊（如OS區和FAT區）進行調整，以盡量延長板載閃存的壽命，這也極大地增加了閃存存儲的重寫壽命。

5. 斷電耐受性增強
TDK獨創的算法可全面預防并行錯誤，例如在寫數據時發生斷電的情況下不讓錯亂的數據寫入。

6. 糾錯和恢復
通過ECC校驗（8 bit/扇區ECC和15 bit/扇區）提供糾錯能力，并為將來的NAND閃存預留了空間。控制器可獨立選擇8 bit/扇區或15 bit/扇區的ECC校驗。自動恢復功能包括在反復讀取數據時自動糾正位錯誤（讀干擾錯誤）。

7. 其他功能

(a) 簇總數設置功能
可定制分配給數據區的邏輯塊數量。例如，可通過減少數據區邏輯塊的數量來提高閃存的可寫入次數。反之，如果應用不需要長壽命，可通過增加數據區邏輯塊的數量來加大存儲容量。可將CHS設為任何值，以便于將其引入現有系統。

(b) 保護（密碼）功能
采用ATA標準保護功能，用戶可設置和取消密碼以保護重要數據。

8. 解決方案支持
TDK自2000年開始自主研發和銷售GBDriver系列NAND閃存控制器IC，并依托其先進技術為日本和國外客戶提供全面技術支持，包括派遣FAE——現場應用工程師（Field Application Engineer）和實施可靠性監控工作，以滿足嵌入式系統市場在此方面的強烈需求。

生產銷售計劃

●生產地點：臺灣

●生產能力： 10,000個/月（生產初期）

●投產時間： 2008年12月

更多信息，請訪問：http://www.tdkchina.com/

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