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低功耗256千位串口F-RAM存儲器

2009年03月03日19:23:53 本網(wǎng)站 我要評論(2)字號:T | T | T

世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出256千位 (Kb)、2.7至3.6V工作電壓、具高速串口 I2C內(nèi)存接口的非易失性F-RAM器件,型號為 FM24L256。它采用小型8腳封裝,不但提供高性能數(shù)據(jù)采集功能,而且還能減低成本和縮小板空間,適用于從多功能打印機(jī)到工業(yè)電機(jī)控制器等各種設(shè)備應(yīng)用。

F-RAM存儲器優(yōu)勢
FM24L256是容量為256千位的非易失性存儲器,采用Ramtron先進(jìn)的鐵電存儲 (ferroelectric) 工藝。F-RAM存儲器的讀寫操作與RAM相似,并提供長達(dá)10年的可靠數(shù)據(jù)保存,而同時免除了源自EEPROM和其它非易失性存儲器的復(fù)雜性、系統(tǒng)開銷和系統(tǒng)可靠性的問題。

F-RAM 功能和特點(diǎn)
FM24L256以總線速度執(zhí)行寫操作,無寫入延遲,無需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個總線周期。相比EEPROM,F(xiàn)M24L256的寫入耐用性高出幾個數(shù)量級,而且由于執(zhí)行寫操作時不需要為寫入電路提供內(nèi)部升高的電源電壓,因此功耗也較EEPROM低得多。

FM24L256適用于需要頻繁或快速數(shù)據(jù)寫入的非易失性存儲器應(yīng)用,應(yīng)用范圍從非常關(guān)注寫入次數(shù)的數(shù)據(jù)采集應(yīng)用,到嚴(yán)苛的工業(yè)控制應(yīng)用 (EEPROM因為寫入時間長而存在數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險) 都適合。FM24L256的這些功能可以實(shí)現(xiàn)更頻繁的數(shù)據(jù)寫入,而系統(tǒng)開銷卻較少。FM24L256為并口 EEPROM用戶帶來極大的好處,讓他們以硬件直接插入 (drop-in) 的方式取代原有的EEPROM。此外,它采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8腳SOIC封裝,工作電壓為2.7至3.6V,并可在

-40°C至+85°C的整個工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。

價格和供貨

Ramtron 現(xiàn)提供采用8腳 “綠色” /RoHS SOIC (無鉛) 封裝的 FM24L256樣品,小批量訂購的單價為4.56美元。

www.ramtron.com

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