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業(yè)界較小新型20V n通道功率MOSFET+肖特基二極管

2008年12月13日10:43:00 本網(wǎng)站 我要評論(2)字號:T | T | T
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Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界較小的 20V n 通道功率 MOSFET+肖特基二極管--- SiB800EDK,該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型 PowerPAK® SC-75 封裝。這款新型器件的推出,意味著Vishay將其在 100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅(qū)動時規(guī)定的額定導(dǎo)通電阻的 MOSFET 進行了完美結(jié)合。

當(dāng)便攜式電子設(shè)備變得越來越小時,元件的大小變得至關(guān)重要。憑借超小的占位面積,Vishay的SiB800EDK 比采用 2mm×2mm 封裝的器件小 36%,同時具有 0.75mm 的超薄厚度。Vishay此番將兩個元件整合到一個封裝中不僅節(jié)省了空間,而且包含溝槽肖特基二極管可保持較低的正向電壓,從而降低了電平位移應(yīng)用中的壓降。

SiB800EDK 具有0.960Ω(1.5V VGS 時)~0.225Ω(4.5V VGS 時)的低導(dǎo)通電阻范圍。1.5 V 時的低導(dǎo)通電阻額定值可使 MOSFET 與低電平時的信號一同使用。

該新器件的典型應(yīng)用將包括手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器及智能電話等便攜式設(shè)備的 I2C 接口與升壓轉(zhuǎn)換器中的電平位移轉(zhuǎn)換。

SiB800EDK 具有 ESD 保護,并且 100% 無鉛(Pb),無鹵素,以及符合 RoHS,因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求。目前,新型 SiB800EDK 的樣品及量產(chǎn)批量已可提供,大宗訂單的供貨周期為 10~12 周。

www.vishay.com

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