英飛凌科技股份公司與高級內(nèi)存半導體解決方案全球領先供應商之一美光科技公司近期宣布雙方將通過戰(zhàn)略性技術合作，開發(fā)存儲容量超過128MB的高密度用戶識別模塊（HD-SIM）卡。

HD-SIM卡是擴大存儲容量，提高服務水平，同時改善運營商操作的理想產(chǎn)品。高密度與改進的安全功能有機結合，使運營商能夠提供多種圖形豐富的增值服務，例如移動銀行與非接觸式移動票務等。此外，運營商可通過自己的無線網(wǎng)絡安全地更新或刪除各種應用，同時也可隨時將新應用、服務和設置下載或存儲至高密度SIM卡中，確保快速上市。不過，功能增多也意味著SIM卡的存儲解決方案需要不斷發(fā)展，以便充分利用更快的處理與通信速度，較終提供這些應用所需的更高的存儲容量。

為了滿足這些需求，英飛凌與美光將攜手開發(fā)一種創(chuàng)新型高密度解決方案。雙方在技術領域實現(xiàn)密切合作，充分利用各自的專業(yè)技術制造模塊化芯片解決方案，將英飛凌安全微控制器與美光特性豐富的創(chuàng)新NAND閃存（專門針對高密度SIM卡應用設計）有機結合在一起。美光將采用50nm和34nm工藝制造NAND閃存。這種組合解決方案經(jīng)過專門設計，可高效集成至高密度SIM卡，使SIM卡的容量突破128MB，同時提供多種全新特性，包括：
高密度。 串行NAND閃存提供較經(jīng)濟有效的解決方案，使高密度SIM卡存儲容量達到或超過128 MB。

·        ECC（誤碼糾正）電路：內(nèi)置于美光NAND閃存中，降低高密度SIM卡微控制器的數(shù)據(jù)錯誤糾正負擔，簡化整個安全設計。

·        卓越電源管理：經(jīng)過專門設計，滿足歐洲電信標準協(xié)會（ETSI）的要求。英飛凌/美光高密度SIM卡解決方案的工作電壓范圍為1.8V至3.3V，符合ETSI的低工作電流要求。

·        輕松遷移：安全微控制理念包括一個優(yōu)化的經(jīng)濟高效的封裝解決方案，方便在NOR技術和NAND技術之間實現(xiàn)輕松遷移，原因是它具備對準的應用編程接口（API）和相關軟件棧。此外，針對現(xiàn)有SIM卡開發(fā)的操作系統(tǒng)軟件可輕松實現(xiàn)重復使用。

美光公司高級營銷主管Bill Lauer指出：“對更強鍵的存儲和應用的需求正推動移動市場步入新的階段。美光素以世界一流的技術和NAND創(chuàng)新而著稱；如今，我們致力于開發(fā)戰(zhàn)略性存儲解決方案，遠遠超越一種尺寸適用所有型號的時代。我們與英飛凌攜手開發(fā)的高密度SIM卡組合解決方案可提供較以往產(chǎn)品更高的存儲密度，我們相信這種技術將會源源不斷地為移動市場帶來令人欣喜的嶄新應用�！�

英飛凌公司副總裁兼芯片卡與安全業(yè)務部總經(jīng)理Helmut Gassel博士指出：“英飛凌預計未來的SIM卡將能夠完成音頻和視頻的海量存儲，甚至代替閃存卡。英飛凌致力于使整個高密度SIM卡市場由幾兆字節(jié)發(fā)展至2吉字節(jié)，提供理想的性能和安全水平。我們的客戶——芯片卡廠商和移動網(wǎng)絡運營商——都將受益于我們智能化高密度SIM卡半導體理念，不僅能從NOR技術遷移至NAND技術，而且能控制研發(fā)成本，較大程度減少高密度SIM卡平臺的認證工作。這為新興高密度SIM卡市場帶來更大靈活性，方便其快速應用于各種場合�！�

產(chǎn)品原型預計將于2009年秋季開始供貨，屆時將以裸晶形式提供或采用經(jīng)濟型芯片卡IC封裝。

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