全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出車(chē)用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)  (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī)  (ISA)  泵和電機(jī)控制，以及內(nèi)燃機(jī)  (ICE)  和混合動(dòng)力汽車(chē)平臺(tái)上的其它重載應(yīng)用。

全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝，電壓范圍從 40V 至 200V。標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平柵級(jí)驅(qū)動(dòng) MOSFET 都為 IR 車(chē)用塑料封裝 MOSFET 產(chǎn)品系列設(shè)定了導(dǎo)通電阻性能新標(biāo)準(zhǔn)。基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻在 40V 下較大為 1.25 毫歐，60V 下較大為2.1 毫歐，75V 下為 2.6 毫歐，100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的較大額定電流達(dá) 240A。

IR 亞太區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“IR 全新車(chē)用溝道 MOSFET 系列可在下一代汽車(chē)應(yīng)用，包括集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī)和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能。”

所有 IR 車(chē)用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念，并經(jīng)過(guò)了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測(cè)試及 100% 自動(dòng)晶圓級(jí)目視檢查。AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過(guò)1, 000 次溫度循環(huán)測(cè)試后，導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過(guò) 20%。然而，經(jīng)過(guò)延長(zhǎng)測(cè)試后，IR 的新款 AU 物料單在 5,000 次溫度循環(huán)時(shí)的較大導(dǎo)通電阻變化不到 10%，體現(xiàn)了該物料單的高強(qiáng)度和耐用性。

新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的材料環(huán)保，不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

產(chǎn)品規(guī)格

邏輯電平柵級(jí)驅(qū)動(dòng)

有關(guān)產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)和認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)請(qǐng)瀏覽IR 的網(wǎng)站 www.irf.com。IR還提供Spice模型供索取。

專(zhuān)利和商標(biāo)

IR®  和 HEXFET® 是國(guó)際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊(cè)商標(biāo)。文中所提及其它產(chǎn)品名稱(chēng)均為對(duì)應(yīng)持有人所有的商標(biāo)。

IR簡(jiǎn)介

國(guó)際整流器公司 (簡(jiǎn)稱(chēng) IR，紐約證交所代號(hào) IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商。IR 的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球較大耗能設(shè)備) ，是眾多國(guó)際知名廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車(chē)、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國(guó)防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。

IR 成立于 1947 年，總部設(shè)在美國(guó)洛杉磯，在二十個(gè)國(guó)家設(shè)有辦事處。IR 全球網(wǎng)站：www.irf.com，中國(guó)網(wǎng)站：www.irf.com.cn。