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德州儀器 PowerStackTM 封裝技術投入量產

2011年08月01日17:13:19 本網站 我要評論(2)字號:T | T | T

 新技術以獨一無二的堆棧方法將組合封裝技術推向新的高度

可為電源設計人員帶來 2D 到 3D 集成

 

日前,德州儀器 (TI) 宣布 PowerStackTM 封裝技術產品出貨量已突破 3000 萬套,該技術可為電源管理器件顯著提高性能,降低功耗,并改進芯片密度。 

TI 模擬封裝部 Matt Romig 指出:“為實現寬帶移動視頻與 4G 通信等更多內容,計算應用的性能需求不斷提升。與此同時,也出現了電信與計算設備的小型化需求。通過從 2D 到 3D 集成的真正革命,PowerStack 可幫助 TI 客戶充分滿足這些需求。” 

PowerStack 技術的優勢是通過創新型封裝方法實現的,即在接地引腳框架上堆棧 TI NexFETTM 功率 MOSFET,并采用兩個銅彈片連接輸入輸出電壓引腳。這種堆棧與彈片焊接的獨特組合可實現更高集成的無引線四方扁平封裝 (QFN) 解決方案。

通過 PowerStack 技術堆棧 MOSFET,較明顯的優勢是可使封裝尺寸比并排排列 MOSFET 的其它解決方案銳減達 50%。除降低板級空間之外,PowerStack 封裝技術還可為電源管理器件提供優異的熱性能、更高的電流性能與效率。如欲了解有關 PowerStack 優勢的更多詳情,敬請訪問:ti.com/powerstack。

TechSearch 國際創始人兼總裁 Jan Vardaman 表示:“PowerStack 是我在電源市場所見過的首項具有如此強大功能的封裝技術,3D 封裝解決方案的勢頭在不斷加強,該技術將是解決各種當前及新一代設計挑戰的理想選擇。”

PowerStack 現已在 TI Clark 廠投入量產。

TI 菲律賓公司總經理 Bing Viera 指出:“Clark 是我們位于菲律賓的、業界一流的較新封測廠。今年,我們將進一步提升 Clark 高級封裝技術的產能,到第三季度該廠初期產能將提高近 1 倍。”

如欲了解關于 TI 制造技術的更多詳情,敬請訪問:www.ti.com/powerstack-pr-mfg。

通過領先封裝技術推進模擬發展

PowerStack 封裝技術再次凸顯了 TI 在封裝領域的創新技術,其可為在更低成本下要求更高功率密度、可靠性以及性能的應用實現更進一步的發展。TI 擁有數十年的豐富封裝專業技術經驗,可為成千上萬種豐富產品、封裝配置與技術提供支持,從而可為模擬市場提供較豐富的封裝組合。如欲了解有關 TI 領先封裝技術的更多詳情,敬請訪問:www.ti.com/powerstack-pr-pkg。

關于 TI NexFET 功率 MOSFET 技術

TI NexFET 功率 MOSFET 技術可為高功率計算、網絡、服務器系統以及電源應用提高能源效率。此外,這些高頻率高效率模擬功率 MOSFET 還可為系統設計人員提供當前較高級的 DC/DC 電源轉換解決方案。

如欲了解有關 TI NexFET™ Power Block 的更多詳情,敬請訪問:

www.ti.com/powerblock-pr。

商標

PowerStack 與 NexFET 是德州儀器公司的商標。所有其它注冊商標與商標均歸其各自所有者所有。

 

關于德州儀器公司

德州儀器 (TI) 半導體創新技術為未來世界開啟無限可能。攜手全球 80,000 家客戶,TI致力打造一個更智能、更安全、更環保、更健康以及更精彩的生活。TI把構建美好未來的承諾付諸于日常言行的點滴,從高度負責地生產半導體產品,到關愛員工、回饋社會。這一切僅是 TI 實踐承諾的開始。

TI 在紐約證交所上市交易,交易代碼為 TXN。

更多詳情,敬請查閱 http://www.ti.com.cn。

TI 半導體產品信息中心免費熱線電話:800-820-8682。

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