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飛兆半導(dǎo)體推出業(yè)界較薄的MicroFET™ MOSFET

2008年11月20日08:58:40 本網(wǎng)站 我要評論(2)字號:T | T | T
關(guān)鍵字:應(yīng)用 半導(dǎo)體 IPC 

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027,滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench® MOSFETFDFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench® MOSFET,帶有肖特基二極管,并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設(shè)計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET,新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項可滿足下一代便攜產(chǎn)品如手機的超薄外形尺寸需求。

FDMA1027FDFMA2P853專為更高效率而設(shè)計,能夠解決影響電池壽命的豐富功能的功率挑戰(zhàn)。這些器件采用飛兆半導(dǎo)體專有的PowerTrench® MOSFET工藝,能降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,提供卓越的功率消耗和降低傳導(dǎo)損耗。與采用2mm x 2mm SC-70封裝類似尺寸的器件比較,FDMA1027FDFMA2P853提供更低的傳導(dǎo)損耗 (降低約60%),并且能夠耗散1.4W功率,而SC-70封裝器件的功率消耗則為300mW。

飛兆半導(dǎo)體的MicroFET系列提供了具吸引力的優(yōu)勢如緊湊型封裝和高性能,能夠滿足電池充電、負載轉(zhuǎn)換、升壓和DC-DC轉(zhuǎn)換的需求。

FDMA1027FDFMA2P853采用無鉛 (Pb-free) 端子,潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)對無鉛回流焊的要求。所有飛兆半導(dǎo)體產(chǎn)品均滿足歐盟有害物質(zhì)限用指令 (RoHS) 的要求。

www.fairchildsemi.com

 

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