三菱電機攜同汽車用J系列EV-IPM和J系列EV T-PM，在6月21日至23日于上海國際會議中心舉行的PCIM 2011亞洲展（展位號A78-A87）中亮相，向參觀者介紹高性能、超可靠、低損耗的汽車用功率半導(dǎo)體模塊。

受到近幾年環(huán)保意識提高的影響，混合動力汽車和電動汽車等市場不斷擴大。由于對汽車有著很高的安全性要求，因而對用于汽車馬達驅(qū)動的功率半導(dǎo)體模塊，也要求其具有超出普通工業(yè)用途的可靠性。

三菱電機引領(lǐng)業(yè)界之先，于2004年采用以硬質(zhì)樹脂封裝功率半導(dǎo)體硅片的壓注模封裝技術(shù)，生產(chǎn)出可靠性高且無鉛化的汽車用功率半導(dǎo)體模塊。 這次，三菱電機又推出新的汽車用功率半導(dǎo)體模塊J系列EV-IPM和J系列EV T-PM。

J系列EV-IPM采用第5代LPT- CSTBT^TM硅片技術(shù)，模塊內(nèi)硅片上集成電流和溫度傳感器，雜散電感低。模塊采用自1997年以來已成功量產(chǎn)的先進制造工藝，實施從模塊材料到零件與生產(chǎn)履歷的硅片級可追溯性管理，滿足ELV汽車的安全規(guī)格。目前開發(fā)的J系列EV-IPM產(chǎn)品的電流電壓等級分別有：300A/600V、600A/600V、150A/1200V和300A/1200V。

圖片說明：J系列EV-IPM  小型封裝和大型封裝

J系列EV T-PM采用第5代~第6代LPT- CSTBT^TM硅片技術(shù)，模塊內(nèi)硅片上集成電流和溫度傳感器。模塊內(nèi)部構(gòu)造不同于以往用鋁電線連接功率半導(dǎo)體硅片和主端子，而是采用DLB構(gòu)造，成功將主端子延長，使之直接與功率半導(dǎo)體硅片焊接。利用DLB構(gòu)造提高了模塊的可靠性。

此外，模塊采用2合1壓注膜封裝技術(shù)，使得模塊內(nèi)的配線電阻和電感得到減小，從而降低了模塊的損耗。模塊實施從模塊材料到零件與生產(chǎn)履歷的硅片級可追溯性管理。滿足ELV汽車安全規(guī)格，確保用于汽車的質(zhì)量與產(chǎn)品壽命。目前開發(fā)的J系列EV T-PM產(chǎn)品的電流電壓等級分別有：300A/600V，600A/600V和300A/1200V。

圖片說明：J系列EV T-PM

三菱電機機電（上海）有限公司簡介

三菱電機創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)集團。在較新的《財富》500強排名中，名列第201。

作為一家技術(shù)主導(dǎo)型的企業(yè)，三菱電機擁有多項領(lǐng)先技術(shù)，并憑強大的技術(shù)實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)著重要的地位。

三菱電機機電（上海）有限公司把弘揚國人智慧，開創(chuàng)機電新紀元視為責(zé)無旁貸的義務(wù)與使命。憑借優(yōu)越的技術(shù)與創(chuàng)造力貢獻產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以促進社會繁榮。

三菱電機半導(dǎo)體產(chǎn)品包括三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPM^TM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)品，其中三菱功率模塊在電機控制、電源和白色家電的應(yīng)用中有助于您實現(xiàn)變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)品將為您在各種模擬/數(shù)字通訊、有線/無線通訊等應(yīng)用中提供解決方案。

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