Vishay Siliconix的新款N溝道功率MOSFET再次刷新業(yè)內(nèi)較低導(dǎo)通電阻記錄

2011年03月31日13:58:36 本網(wǎng)站我要評(píng)論(2)字號(hào)：T | T | T

關(guān)鍵字：航天應(yīng)用半導(dǎo)體汽車通信電源數(shù)字醫(yī)療

該TrenchFET^®器件采用PowerPAK SO-8封裝、具有40V和60V工作電壓

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET^®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK^® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)較低的導(dǎo)通電阻，以及較低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。

40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為1.7mΩ和2.2mΩ，在10V和4.5V下的FOM分別為128mΩ-nC和76mΩ-nC。器件在4.5V下的導(dǎo)通電阻比較接近的競(jìng)爭(zhēng)MOSFET低4%，而4.5V下的FOM則低15.5%。

60V SiR662DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別為2.7mΩ和3.5mΩ，在10V和4.5V下的FOM分別為172.8mΩ-nC和105mΩ-nC。器件在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別比較接近的同檔次MOSFET分別低3.5%和27%，在10V和4.5V下的FOM分別低23%和57%。在器件的整個(gè)工作范圍內(nèi)，低導(dǎo)通電阻和低FOM將能夠減少開關(guān)損耗。

兩款器件在制造過程中采用了一種新的硅技術(shù)，該技術(shù)使用了優(yōu)化的溝槽密度和特殊的柵極結(jié)構(gòu)。對(duì)于設(shè)計(jì)者來說，更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，從而降低功耗，尤其是在重載的情況下。器件的低FOM能夠降低高頻和開關(guān)應(yīng)用中的開關(guān)損耗，特別是在輕負(fù)載和待機(jī)模式下。器件的高頻率使設(shè)計(jì)者能夠增加其系統(tǒng)的功率密度，或是同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的功率損耗和更綠色的應(yīng)用方案。

SiR662DP和SiR640DP適用于DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換器中的次級(jí)側(cè)同步整流、DC/DC轉(zhuǎn)換器中的初級(jí)側(cè)開關(guān)、負(fù)載點(diǎn)模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、橋式逆變器和替代機(jī)械式繼電器的應(yīng)用。典型終端產(chǎn)品包括通信電源、工業(yè)自動(dòng)化和專業(yè)游戲機(jī)、不間斷電源(UPS)和消費(fèi)類應(yīng)用。

MOSFET的電壓等級(jí)為4.5V，使許多設(shè)計(jì)者能夠在其系統(tǒng)中使用現(xiàn)有的給數(shù)字邏輯電路供電的5V電源軌，無需再為10V電源軌騰出和尋找合適的空間。4.5V電壓等級(jí)還能夠大幅降低柵極驅(qū)動(dòng)的損耗，同時(shí)還能夠使用電壓更低、成本更低的5V PWM IC。

兩款芯片均經(jīng)過了100%的Rg和UIS測(cè)試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC。

SiR662DP和SiR640DP現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的較大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

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