新的解決方案實現了 100ppm 及以下的頻率精度

致力于豐富數字媒體體驗、提供領先的混合信號半導體解決方案供應商 IDT^® 公司（Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI）宣布，推出業界精度較高的全硅 CMOS 振蕩器，在整個溫度、電壓和其他因數方面實現了行業領先的 100ppm 總頻率誤差。

IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專利的 CMOS 振蕩器技術，可以用一個 100ppm 及以下頻率精度的單片 CMOS IC 取代基于石英晶體的振蕩器，并采用非常薄的外形，而無需使用任何機械頻率源或鎖相環（PLL）。該產品專門用于下一代存儲、數據通信和連接接口，如千兆以太網、SAS、超高速 USB（USB 3.0）和 PCI Express。該產品是通用石英晶體振蕩器的一種低功耗、低抖動替代方案，因此非常適合服務器和企業設計，以及采用以太網端口的數據通信設備。

IDT 通信事業部副總裁兼總經理 Fred Zust 表示：“憑借其 100ppm 的總頻率誤差，IDT3C02不愧為計時行業的一個重大突破。作為一個晶振替代品的理想選擇，它擴展了今年早些時候發布的晶圓形式全硅 CMOS 振蕩器，擴展了 IDT 在計時領域的領導地位。”

IDT3C02 振蕩器可產生高精度的片上頻率，而無需依賴壓電或機械諧振器。該器件支持標準的現成可用的 CMOS 工藝，采用了可編程架構，支持各種配置選項，以適應廣泛的應用范圍。也許這些選項中較為關鍵的是工廠可編程的工作頻率，與傳統的石英解決方案相比，有助于縮短交貨時間，包括特殊或罕見的頻率。

此外，IDT3C02 振蕩器采用一個獨特的模擬核設計，其功耗低于 2.5mA（空載典型值），從而為基于石英和 PLL 的高頻率振蕩器提供了一種低功耗替代方案，同時在 1MHz 載波偏移條件下實現了一流的 －140dBc/Hz 的相位噪聲。該器件采用業界標準的 5×3.2mm 石英晶體兼容封裝，即低成本、低高度的 MSL1 塑料 IC 封裝，無需陶瓷密封的封裝。

IDT3C02 還具有 200nA（典型值）的低功耗待機模式，以及 100μs（典型值）的快速啟動時間。這些功能組合使該器件非常適合功率敏感的設計，允許頻繁的開關電源以進一步節省功耗。由于該器件不包含任何運動元件，且不使用機械或壓電電子諧振來產生電子頻率，全硅的單片方案實現了優良的耐沖擊和振動能力。

供貨情況

IDT3C02 目前已向合格客戶提供樣品，采用的是 5×3.2mm 封裝。欲了解更多信息，請訪問 www.idt.com/go/CMOS-Oscillators。

關于 IDT 公司

兼具模擬和數字專長的 IDT 公司，結合模擬和數字優勢技術開發可優化客戶應用和豐富終端用戶體驗的創新性系統級解決方案。IDT 利用其在計時、串行交換和接口方面的市場地位，增加了模擬和系統專長，以提供用于通信、計算和消費應用的全面應用優化、混合信號解決方案。IDT 公司總部位于美國加利福尼亞州圣荷塞，在全球各地設有設計、生產和銷售機構。IDT 股票在納斯達克全球精選股票市場上市，代號為“IDTI”。欲了解更多 IDT 詳情，敬請登陸 http://www.idt.com/china/。可在 Twitter  和 Facebook 上了解 IDT 較新信息。