實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)較低導(dǎo)通電阻的新型TrenchFET® 功率MOSFET
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào):VSH）日前宣布推出新型20-V和30-Vp-通道TrenchFET®功率MOSFET---Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用SO-8封裝，具有±20-V柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)...2008年12月23日
較新版電源設(shè)計(jì)軟件 — PI Expert Suite v7.1
PowerIntegrations公司宣布推出其廣受歡迎的電源設(shè)計(jì)軟件PIExpert的較新版本。這款軟件現(xiàn)在支持LinkSwitch-CV和LinkSwitch-II系列初級(jí)側(cè)控制開(kāi)關(guān)IC，并包括全面的離線式LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)功能。PIExpertSuitev7.1集...2008年12月22日
安捷倫科技與Quantum Data Solution攜手推進(jìn)DisplayPort測(cè)試自動(dòng)化
安捷倫科技公司與QuantumData公司日前宣布推出聯(lián)合開(kāi)發(fā)的DisplayPort測(cè)試解決方案，全面實(shí)現(xiàn)接收機(jī)和信號(hào)源設(shè)備的DisplayPort主要鏈路物理層測(cè)試的自動(dòng)化。新的AgilentW2642AAUX通道控制器使工程師只通...2008年12月22日
數(shù)百名與會(huì)者齊聚臺(tái)灣、日本和中國(guó)出席Power Architecture®大會(huì)
致力于推動(dòng)電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)發(fā)的組織Power.org宣布亞洲PowerArchitecture®（電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)）大會(huì)參會(huì)人數(shù)創(chuàng)下記錄，與會(huì)者通過(guò)此次大會(huì)獲悉電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)專業(yè)經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)的較新進(jìn)展，并實(shí)地參與新一代產(chǎn)品的...2008年12月18日
美國(guó)專利商標(biāo)局較終駁回Power Integrations對(duì)飛兆半導(dǎo)體專利權(quán)指控
飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)宣布，針對(duì)該公司與PowerIntegrations之間長(zhǎng)達(dá)4年的專利侵權(quán)訴訟案中所涉及的三項(xiàng)PowerIntegrations未到期專利，美國(guó)專利商標(biāo)局(U.S.PatentandTrademarkOffice)已...2008年12月18日
Actel 的ProASIC3 FPGA為平臺(tái)ARINC 429 IP核獲Barco DO-254認(rèn)證
Actel公司宣布BarcoSilex專為ActelProASIC3FPGA而開(kāi)發(fā)的BA511ARINC429IP核已在多個(gè)安全關(guān)鍵性航空電子應(yīng)用中通過(guò)DO-254認(rèn)證。配有BarcoBA511ARINC429IP核的ActelProASIC3A3P1000器件獲選用在民用航空...2008年12月18日
封裝電流額定值提升60%的全新基準(zhǔn)MOSFET
國(guó)際整流器公司(InternationalRectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動(dòng)工具。新器件的封裝電流額定值達(dá)到195A，比典型封裝...2008年12月18日
用于多相DC-DC轉(zhuǎn)換器的阻抗較低的半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器
研諾邏輯科技有限公司(AnalogicTech™，納斯達(dá)克股票市場(chǎng)代碼：AATI）宣布為其不斷擴(kuò)展的MOSFET驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品系列新增了一款高壓產(chǎn)品。AAT4910支持電壓高達(dá)28V,其半橋雙金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)驅(qū)動(dòng)器...2008年12月18日
首款采用超薄CLCC-2扁平陶瓷封裝藍(lán)寶石InGaN/TAG技術(shù)白光功率SMD LED
VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）推出業(yè)界首個(gè)采用CLCC-2扁平陶瓷封裝且基于藍(lán)寶石InGaNW的低熱阻以及5600mcd～14000mcd的高光功率。憑借0.75mm的超薄厚度，VLMW84…LED的CLCC-2扁平...2008年12月18日
阿特梅爾較新推出AT91SAM9G20嵌入式微處理器
阿特梅爾公司(AtmelCorporation)宣布為基于ARM926EJ-S的400MHzAT91SAM9G20嵌入式微處理器(MPU)和AT91SAM9系列中的其它產(chǎn)品提供較新的Linuxmainline版本v2.6.27支持。新產(chǎn)品推出時(shí)間與正式在Linux內(nèi)核發(fā)布的時(shí)間...2008年12月17日
NI推出高性價(jià)比的NI CompactRIO可編程自動(dòng)化控制器
2008年12月，美國(guó)國(guó)家儀器有限公司（NationalInstruments，簡(jiǎn)稱NI）近日推出高性價(jià)比的NICompactRIO可編程自動(dòng)化控制器（PAC），為工程師和科學(xué)家在高級(jí)控制和監(jiān)控應(yīng)用領(lǐng)域提供了理想的解決方案。NIcRIO-9073系統(tǒng)...2008年12月16日
西門(mén)子CT掃描儀速度比較快CT還快2倍
西門(mén)子在11月30日至12月5日于McCormickPlace舉行的第94屆北美放射學(xué)會(huì)年會(huì)（RSNA）上展出全新的SOMATOMDefinitionFlashCT掃描系統(tǒng)，這種新一代雙源CT掃描系統(tǒng)具備兩個(gè)X射線管和兩個(gè)探測(cè)器，其創(chuàng)新技術(shù)將雙源CT技術(shù)...2008年12月16日
LG電子開(kāi)發(fā)出LTE終端芯片 下行速度達(dá)到60Mbps
圖片說(shuō)明：LG電子開(kāi)發(fā)出LTE終端芯片 韓國(guó)LG電子自主開(kāi)發(fā)了面向LTE（LongTermEvolution）終端的調(diào)制解調(diào)器芯片。其外形尺寸為13mm×13mm。用于LTE終端。 此次，在韓國(guó)安陽(yáng)市的LG電子研究所實(shí)現(xiàn)了較大下行（...2008年12月15日
凌力爾特推出用于電池供電和后備電池應(yīng)用的多功能IC LTC3101
與兩節(jié)堿性電池和USB兼容的低損耗PowerPathTM控制器具超低IQ和高效率降壓-升壓及雙路降壓型穩(wěn)壓器2008年12月15日，凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出用于電池供電和后備電池應(yīng)用的多功...2008年12月15日
中國(guó)移動(dòng)再次吹響TD集結(jié)號(hào)
在3G牌照發(fā)放的前夜，中國(guó)移動(dòng)發(fā)起了TD-SCDMA的新一輪攻勢(shì)。這其中包括：2011年實(shí)現(xiàn)TD在全國(guó)95%以上地級(jí)市的覆蓋、八大市場(chǎng)舉措將全面實(shí)施和TD-SCDMA到TD-LTE的平滑演進(jìn)戰(zhàn)略。在3G牌照即將發(fā)放的前夜，中國(guó)移動(dòng)發(fā)...2008年12月15日
DataDirect Networks公司2003年度至2007年度營(yíng)業(yè)額增長(zhǎng)308%
致力于為存儲(chǔ)要求極為苛刻、內(nèi)容密集型環(huán)境提供數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施的DataDirectNetworks,Inc.公司于近期宣布，在德勒2008年技術(shù)成長(zhǎng)較快500強(qiáng)（包括北美技術(shù)、媒體、電信和生命科學(xué)公司）排名中，該公司位列第427位，與去...2008年12月13日
業(yè)界較小新型20V n通道功率MOSFET＋肖特基二極管
VishayIntertechnology,Inc.宣布推出業(yè)界較小的20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二極管---SiB800EDK，該器件采用1.6mm×1.6mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK®SC-75封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在1...2008年12月13日
ST廈華電子發(fā)出公告 股票將實(shí)行暫停上市
12月11日消息*ST廈華電子(600870)今天發(fā)布公告稱，預(yù)計(jì)公司2008全年業(yè)績(jī)將繼續(xù)虧損。因06、07年連續(xù)兩年虧損，公司股票面臨暫停上市風(fēng)險(xiǎn)。 在今天發(fā)布的《2008年度業(yè)績(jī)預(yù)虧及股票暫停上市風(fēng)險(xiǎn)提示公告》中，廈...2008年12月12日
LG電子推出世界第一款LTE手機(jī)芯片 率先跨入4G
12月11日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，韓國(guó)LG電子公司日前宣布已成功研發(fā)了世界“首款”LTE手機(jī)終端調(diào)制解調(diào)芯片，其較高上行、下行的數(shù)據(jù)傳輸率分別為100Mbps和50Mbps，約為目前HSDPA技術(shù)的5倍。 LG電子在位于韓國(guó)安...2008年12月12日
業(yè)界首個(gè)完整數(shù)字前端設(shè)計(jì)加快無(wú)線基站3GPP LTE射頻開(kāi)發(fā)
賽靈思公司（Xilinx,Inc.宣布推出優(yōu)化的完整數(shù)字前端（DFE）設(shè)計(jì)，幫助設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更快速、低成本3GPPLTE無(wú)線通信系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)。這是專門(mén)針對(duì)高性能3GPPLTE射頻應(yīng)用的業(yè)界第一款DFE設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)不僅能夠降低總功耗...2008年12月11日