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IR 半導體 新型25V DirectFET芯片組
行業首批集成功率級器件
適用于汽車的MOSFET
英飛凌半導體 MOSFET兼容協議
25V OptiMOS調壓MOSFET
領先業界的OptiMOSTM器件
三菱電機 推出工業功率模塊產品
第4代DIPIPMTM降低成本
攜HVIGBT模塊亮相PCIM展
飛兆半導體 WL-CSP 節省線路板空間
PWM控制器系列
應對DC-DC設計挑戰
本期主題:功率半導體產業的需求挑戰
功率半導體產業的需求挑戰
新的環境政策特別重點關注全球可再生能源的發展,特別是風能和太陽能發電以及能源利用效率的提高。這兩個目標對電力電子... 詳情>>
[產品資訊] 意法半導體(ST)推出業內性價比最高的智能...
[產品資訊] 安森美半導體推出帶集成肖特基二極管的30...
[產品資訊] 全新隔離直流/直流轉換器開發工具可提高模塊...
[產品資訊] Vishay Siliconix將第三代P溝道TrenchFET技...
[產品資訊] SiGe半導體推出業界首款基于硅技術的大功率...
[行業資訊] 富士通微電子聯合實驗室落戶武漢大學
[會議資訊] Linear“面向工業應用的模擬電子設計”研討會
[站內活動] 2010年可靠性技術與應用論壇中國行
2010年DAQ全國巡回研討會
Linear研討會:面向工業應用的模擬電子設計
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英飛凌 IGBT模塊 通用變頻器 第6代IGBT模塊 英飛凌 IGBT模塊 Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET 德州儀器推出具備板載功率 MOSFET 的全集成型 Fusion Digital PowerTM 雙路功率驅動器
郝洛西:世博之光 從技術到藝術
—— 訪TI電源拓展工程師吳濤:縮小DC/DC解決方案尺寸是大勢所趨...詳情>>
·英飛凌在中國高速發展IGBT模塊市場
·功率器件引領移動便攜應用節能創新
·走過功率半導體發展 IR 從新出發
·不斷推陳出新 體現長期承諾
·利用功率半導體技術將效率提升到…
·全新功率半導體技術助力數據中心…
·完備的中等功率電源管理方案
·NexFETTM:新一代功率 MOSFET…
·R&S公司的WiMax功率放大器測試…
·功率器件:具備優化特性的新一代…
·功率半導體:有助于實現節能的…
·采用第六代IGBT模塊增加壽命和降低成本
·兼具現代超結器件和傳統高壓MOSFET優點…
·易用省時的電源模塊及設計工具
·適用于工業能源采集的技術
·DSP控制的功率因數校正(PFC)變換器原…
·汽車功率MOSFET解決更多設計挑戰
·功率半導體器件帶來品質和可靠性
太陽能照明系統應用技術
2010年第5期回顧
中國TD-LTE的“智慧”發展
2010年第6期回顧
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軌道交通安全隱患不容忽視